The InGaAs Photodiodes from 800 to 1700nm are InGaAs based semiconductor light sensors that generate photocurrent when its active area is illuminated by light. Key Specifications: • High Speed InGaAs Photodiodes • Large Active Area Photodiodes • Segmented InGaAs Photodiodes • Photodiode Amplifier Hybrids • 622Mbps Photodiode Amplifier Hybrid • Back Illuminated InGaAs Photodiodes •
Silicon Photodiodes
Most widely used Silicon photodiodes are sensitive from 400 to 1100nm. They are available in a variety of active area sizes, from 0.5mm dia. to 28mm dia. Offered in a variety of packaging types, hermetic TO can, BNC, and plastic housing. Key Specifications: • Photoconductive Devices • Photovoltaic Devices • Blue Enhanced Photodiodes • Back
Photodiodes van UV 150nm tot IR 2600nm
Photodiodes van UV 150nm tot IR 2600nm Epigap heeft naast de specifieke leds en ledchips, het pakket van fotodiodes behoorlijk uitgebreid. Er is een breed spectrum beschikbaar van 150nm tot 2600nm, van diep UV tot hoog IR. Deze InGaAs fotodiodes hebben een sensoroppervlakte met een diameter tot 3mm, een lage dark current en een hoge