Gallium Nitride (GaN) halfgeleiders worden veel gebruikt om power converters efficiënter en compacter te maken. Het volume van passieve componenten kan afnemen wanneer de power converter schakelt op hoge schakel frequenties. In deze presentatie gaan we in op de uitdagingen die om de hoek komen kijken wanneer we 650V GaN halfgeleiders gaan schakelen op multi-MHz frequenties. Om het werkingsprincipe te demonstreren is een lab prototype gebouwd van een 3.6kW power converter met een uitgang spanningsrange van 100 tot 400V en een maximale uitgangsstroom van 10A.
Bart Bokmans, TU Eindhoven